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M1 Ultra双芯片如何拼接?“胶水”技术揭秘-电子发烧友网

发布时间:2022-04-25 16:16:26 阅读: 来源:鞋柜厂家
M1 Ultra双芯片如何拼接?“胶水”技术揭秘-电子发烧友网

在前几日刚结束的苹果春季发布会中,苹果发布了其AppleSilicon阵营下迄今为止性能最强大的一款芯片,M1 Ultra。这颗芯片上,苹果用到了神奇的“胶水”技术,将两颗M1 Max芯片拼在一起,组成了其有史以来规模最大的芯片,单个芯片内含1140亿个晶体管

又是5nm,还是M1

由于芯片的逻辑架构其实并没有改变,仍是基于A14的架构,所以这颗怪兽芯片依然以M1作为前缀,且依然基于台积长页面H5模板
电的5nm工艺制造。在CPUGPU上,M1 Ultra凭借20核CPU和64核GPU,基本实现了刚好两倍的性能。而M1 Ultra的统一内存规模也随之翻了两倍,将内存带宽提升至了800GB/s。

为何苹果会选择继续使用5nm,而不等着用台积电的3nm呢?一个说法自然是满天飞的“台积电3nm延期”传闻。据传3nm虽然可以做到今年下半年量产,但良率爬坡上遇到了较大阻力。

即便这个传闻并不真实,苹果也不会选择在电脑芯片上首发3nm,就好比同在2020年面世的A14和M1芯片一样,后者晚了一个月发售。这是苹果首先保证iPhone产量的考量,在iPhone14面世之前,我们应该是见不到M2芯片了。届时苹果在M2上用的是A15的架构,还是A16的架构,那就不好说了,如果是前者的话,那苹果说不定还得占着一部分5nm产能。

台积电支持下的“胶水”技术

通俗说法的“胶水”技术也就是我们常说的MCM(多芯片模块)封装技术,这样的结构实现形式有多种,从M1 Ultra的芯片图来看,无疑用到的就是台积电的CoWoS-S2.5D封装技术,利用硅中介层完成两个芯片互联。而且从其统一内存的排布来看,台积电的CoWoS-S已经可以完美集成8个HBM了,这个速度确实要超过英特尔和三星

M1 Ultra芯片图/苹果


这一2.5D封装技术用于不少网络IC以及大型AI芯片中,为了就是实现更大的芯片规模,进一步提高带宽等性能。据了解,M1 Ultra在CoWoS-S封装上用到的ABF基板,依然与M1一样,来自欣兴电子

苹果的“胶水”技术能一直延续下去吗?

在苹果发布MacStudio并公布具体参数后,不少用户发现了一个有趣的细节,那就是M1 Max版本的MacStudio重达2.7千克,而搭载M1 Ultra的MacStudio重达3.6千克。这难道是因为M1 Ultra的电源功率更高吗,并非如此,两者充电器通用且用到的都是同样的370W电源。那么这多出来的重量,究竟是什么加上去的呢?

MacStudio的尺寸与重量/苹果


答案就是散热,在苹果的官方回复中,苹果指出多出的重量是因为M1 Ultra配备了一个更大的铜散热模组,而M1 Max用的是铝散热器。本在同样的体积下,铜就比铝要重三倍以上,但铜的导热性能要优于铝,这也就是为何不少电子产品中都选择使用铜管或铜片散热的原因

众所周知,苹果的MacbookPro产品系列用的一向是风扇+“梦幻单热管”,如此一来散热常常被人所诟病,尤其是在以前英特尔芯片的机型上,也就是到了近两年换为ARM架构的芯片后才解决了散热差的遗留问题。

因此即便苹果可以继续通过“胶水”技术,通过扩大芯片规模来稳步提升性能,这也不是一个可延续的方式。MacStudio这种已经在往ITX靠的机器设备还好,而对MacbookPro这样的便携笔记本设备来说,多出来的近1千克重量感知太强了。此外,苹果显然不会在笔记本的散热结构上做出大改,否则不仅是散热模组,连机身模具也得重新设计。

苹果从来都是一套方案用几年,而刚改过外形的MacbookPro自然不可能一年内再换一套设计。这也就是为何苹果为M1 Max预留了互联部分,却没有在MacbookPro中用到M1 Ultra的原因。不得不令人感叹,苹果在精打细算上确实在行。

AppleSilicon的下一步是什么?

其实M1 Ultra用到的“胶水”技术既不是苹果的杀手锏,也远非台积电的全部实力。MCM的计时H5模板
实现可以通过2D封装技术和2.5D封装技术,也可以通过更先进的3D封装技术完成,而这两家在设计和制造3D封装的芯片早有积累。

重构3DIC架构/苹果


在苹果去年4月公布的一份专利中,苹果就提到了一种重构3DIC架构,让每个封装层上的单个和多颗裸片既可以作为功能芯片,也可以作为相邻封装层上多个裸片之间的通信桥梁。从上面这张专利示意图中可以看出,这是一种高度集成的封装方式。而具体如何实现这种芯片的制造,还得看台积电。

台积电的3DFabric可以说是目前业内最先进的3D封装技术之一,充分结合了他们的InFO和CoWoS2.5D封装技术(后端3D技术),以及SoIC芯片3D堆叠方案(前端3D技术)。在SoIC芯片3D堆叠方案中,又分为CoW(ChipOnWafer)和WoW(WaferOnWafer),后者属于直接晶圆堆叠,也是上述苹果专利中选择的堆叠方案。

SoIC-WoW方案/台积电

根据台积电的说法,WoW可以做到更小的间距和硅通孔,从而将寄生效应最小化,做到更好的性能、更低的功耗和延迟以及最小的占用面积。而Graphcore前不久发布的IPU也是首个使用台积电WoW方案的处理器,用的也是台积电的7nm工艺。至于为什么用7nm,除了成本和性能的考量外,还涉及到WoW的两个缺点,一是裸片横向拼接的大小必须一致,这样才能完美堆叠;二是堆叠的裸片必须都是合格裸片(KGD),所以比较适合成熟工艺节点,这样良率才能有保障。

这对于苹果也是一样,从成本和芯片PPA的双向角度来考虑的话,2.5D封装已经可以满足苹果的设计目标了,WoW这样的技术肯定要等成熟之后才会使用。在M1系列续航无人可及,而性能又名列前茅的现状下,苹果倒也没必要暴露全部家底。不过让人好奇的是,苹果在手机芯片上已经做到了领先,M1 Ultra虽然性能出众,还不至于在桌面处理器中傲视群雄。但若是在下一代MacPro上,苹果会不会再将规模翻上一番呢?